Модули форм-фактора: 262-контактный SO-DIMM Задержка CAS: CL40 Записано/небуферизовано: без буферизации Проверка целостности данных: встроенный код исправления ошибок (ECC) Ранг памяти: один ранг (1Rx8) Напряжение оперативной памяти: 1,1 В